印制電路高精密度化是指采用細(xì)密線寬/間距、微小孔、狹窄環(huán)寬(或無(wú)環(huán)寬)和埋、盲孔等技術(shù)達(dá)到高密度化。而高精度是指“細(xì)、小、窄、薄”的結(jié)果必然帶來(lái)精度高的要求，以線寬為例：O.20mm線寬，按規(guī)定生產(chǎn)出O.16-0.24mm為合格，其誤差為(O.20土 0.04)mm;而O.10mm的線寬，同理其誤差為(0.10±O.02)mm，顯然后者精度提高1倍，依此類推是不難理解的，因此高精度要求不再單獨(dú)論述。但卻是生產(chǎn)技術(shù)中一個(gè)突出的難題。

(1)細(xì)密導(dǎo)線技術(shù) 今后的高細(xì)密線寬/間距將由0.20mm-O.13mm-0.08mm—0.005mm，才能滿足SMT和多芯片封裝(Multichip Package，MCP)要求。因此要求采用如下技術(shù)。

①采用薄或超薄銅箔(<18um)基材和精細(xì)表面處理技術(shù)。

②采用較薄干膜和濕法貼膜工藝，薄而質(zhì)量好的干膜可減少線寬失真和缺陷。濕法貼膜可填滿小的氣隙，增加界面附著力，提高導(dǎo)線完整性和精度。

③采用電沉積光致抗蝕膜(Electro—deposited Photoresist，ED)。其厚度可控制在5-30/um范圍，可生產(chǎn)更完美的精細(xì)導(dǎo)線，對(duì)于狹小環(huán)寬、無(wú)環(huán)寬和全板電鍍尤為適用，目前全球已有十多條ED生產(chǎn)線。

④采用平行光曝光技術(shù)。由于平行光曝光可克服“點(diǎn)”光源的各向斜射光線帶來(lái)線寬變幅等的影響，因而可得線寬尺寸精確和邊緣光潔的精細(xì)導(dǎo)線。但平行曝光設(shè)備昂貴，投資高，并要求在高潔凈度的環(huán)境下工作。

⑤采用自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)技術(shù)(Automatic Optic Inspection，AOI)。此技術(shù)已成為精細(xì)導(dǎo)線生產(chǎn)中檢測(cè)的必備手段，正得到迅速推廣應(yīng)用和發(fā)展。如AT&T公司有11臺(tái)AoI，}tADCo公司有21臺(tái)AoI專門用來(lái)檢測(cè)內(nèi)層的圖形。

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